半导体的核心是使用气体以高度可控的方式在表面上沉积近元素固体。然后通过
引入额外的气体、激光、化学蚀刻剂和热量来修改这些沉积的固体。大致过程中
的步骤是：
沉积：这是创建初始硅晶圆的过程。硅前体气体被泵入真空沉积室，并通过化学
或物理相互作用形成薄硅晶片。
光刻：照片部分是指激光。在用于制造最高规格芯片的更高极紫外光刻 (euv) 光
谱中，使用二氧化碳激光将微处理器的电路蚀刻到晶圆中。
蚀刻：在蚀刻过程中，将卤素-碳气体泵入腔室，激活并溶解硅基板中的选定材料
。这个过程有效地将激光印刷的电路雕刻到基板上。
掺杂：这是一个额外的步骤，可以改变蚀刻表面的导电性，以确定半导体导电的
确切条件。
退火：在此过程中，晶圆层之间的反应是通过升高压力和温度来引发的。本质上
，它最终确定了先前过程的结果，并在晶圆中创建了最终完成的处理器。
腔室和管路清洁：前面步骤中使用的气体，尤其是蚀刻和掺杂，通常具有剧毒和
反应性。因此，工艺室和为其供气的气体管线需要充满中和气体，以减少或消除
有害反应，然后填充惰性气体，以防止任何来自外部环境的污染气体侵入。
